研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101337
Publication number (International publication number)：2001284297
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】初期凹凸の段差緩和能力を維持しつつ、研磨レートを向上させ、ダメージを抑制可能な研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨面を有する研磨工具11を備え、ウェーハ上に金属膜が形成された被研磨面に前記研磨工具11の研磨面を接触させて研磨する研磨装置であって、前記研磨面と前記被研磨面との少なくとも接触領域に、前記金属膜より機械的強度の低い前記金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する錯形成剤供給手段71と、前記金属膜と前記錯形成剤との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域の温度調整をする温度調整手段61とを有する。

Claim (excerpt)：

研磨面を有する研磨部を備え、被研磨対象物の金属膜が形成された被研磨面に前記研磨部の前記研磨面を接触させて研磨する研磨装置であって、前記研磨面と前記被研磨面との少なくとも接触領域に、前記金属膜より機械的強度の低い当該金属膜の錯体を形成する配位子を含む錯形成剤を供給する錯形成剤供給手段と、前記金属膜と前記錯形成剤との錯形成反応を促進する温度に当該錯形成反応領域の温度調整をする温度調整手段とを有する研磨装置。

IPC (6)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 57/02 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (8)：

H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 D , H01L 21/304 622 X , B24B 37/00 J , B24B 37/00 K , B24B 57/02 , H01L 21/88 K , H01L 21/90 C

F-Term (52)：

3C047FF08 , 3C047GG15 , 3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058BA08 , 3C058BC02 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH22 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ15 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ22 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR24 , 5F033SS04 , 5F033SS13 , 5F033XX01 , 5F033XX17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

研磨剤および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055290 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268160 Applicant：三菱電機株式会社

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