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J-GLOBAL ID:200903062313415628
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
眞鍋 潔 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999133668
Publication number (International publication number):2000323470
Application date: May. 14, 1999
Publication date: Nov. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、ウェハの短時間保管中における自然酸化膜の成長と有機物汚染を抑制する。【解決手段】 半導体製造装置に搭載するファン2とフィルタとを組み合わせたファンフィルタユニット1に用いるフィルタとして、化学吸着剤を内蔵するフィルタ3を少なくとも設ける。
Claim (excerpt):
ファンとフィルタとを組み合わせたファンフィルタユニットを搭載した半導体製造装置において、前記フィルタとして、化学吸着剤を内蔵するフィルタを少なくとも設けたことを特徴とする半導体製造装置。
F-Term (3):
5F045AB03
, 5F045BB14
, 5F045EE10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-037889
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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半導体装備の空気流入装置及びこれを用いた化学物汚染除去方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-144819
Applicant:三星電子株式会社
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処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-008515
Applicant:東京エレクトロン東北株式会社
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