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J-GLOBAL ID：200903062426595576
半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法
レア・ディ・チオッチオ
About レア・ディ・チオッチオ
Applicant, Patent owner：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク
About コミツサリア タ レネルジー アトミーク
Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000529740
Publication number (International publication number)：2002502119
Application date： Jan. 27, 1999
Publication date： Jan. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 キャリヤ基板とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層とをを備えた構造を形成する方法を提供することである。【解決手段】 a)第一基板(10)の一方の面上に半導体材料層(12)を形成する段階と、b)第一基板の面の下の、半導体材料層(12)の近傍にイオンを注入し、第一基板(10)に表面層(18)を規定する、半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン(16)を形成する段階と、c)半導体材料層(12)を用いて、第一基板(10)をキャリヤ基板(20)上に移す段階であって、半導体材料層がキャリヤ基板(20)と一体に形成されている段階と、d)劈開ゾーン(16)に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層(18)はこの劈開の間半導体層(12)とキャリヤ基板(20)とに一体のままである段階と、e)表面層(18)を除去して半導体材料層(12)を露出する段階と、を備えたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
キャリヤ基板(20)とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層(12)とを備えた構造を製造する方法であって、 a)第一基板(10)の一方の面上に半導体材料層(12)を形成する段階と、 b)前記第一基板の前記面の下の、前記半導体材料層(12)の近傍にイオンを注入し、前記第一基板(10)に表面層(18)を規定する、前記半導体材料層に接触する劈開ゾーンと呼ばれるゾーン(16)を形成する段階と、 c)半導体材料層(12)を用いて、第一基板(10)をキャリヤ基板(20)上に移す段階であって、半導体材料層が前記キャリヤ基板(20)と一体に形成されている段階と、 d)前記劈開ゾーン(16)に沿って第一基板の劈開を行うためのエネルギーを供給する段階であって、第一基板の表面層(18)はこの劈開の間半導体層(12)とキャリヤ基板(20)とに一体のままである段階と、 e)前記表面層(18)を除去して半導体材料層(12)を露出する段階と、を備えたキャリヤ基板とこのキャリヤ基板の一面上に形成した半導体材料層とを備えた構造の製造方法。
IPC (4)：
FI (4)：
F-Term (19)：
5F032AA06
, 5F032AA09
, 5F032AA91
, 5F032CA05
, 5F032CA09
, 5F032DA06
, 5F032DA12
, 5F032DA13
, 5F032DA24
, 5F032DA45
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F052GC03
, 5F052GC06
, 5F052JA07
, 5F052JA10
, 5F052KA10
, 5F052KB05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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半導体基体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-264386 Applicant：キヤノン株式会社 -
基板上の単結晶半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007976 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション -
SOI基板の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-126137 Applicant：ローム株式会社
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