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J-GLOBAL ID：200903062446556003

半導体薄膜の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032872
Publication number (International publication number)：1997205213
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【構成】 ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜103にニッケルを添加して、加熱により結晶性珪素膜105を形成する。結晶性珪素膜105の表面に酸化珪素膜106、非晶質珪素膜107を形成し、加熱処理を行う。加熱処理により非晶質珪素膜107中にニッケル元素が拡散するため、結晶化した珪素膜105中のニッケルの濃度を下げることができる。また、この加熱処理によって、非晶質珪素膜107は結晶化される。酸化珪素膜106をエッチングストッパーにして、結晶化された珪素膜108を選択的に除去し、更に酸化珪素膜106を除去することにより、ニッケル濃度の低い結晶性珪素膜108を得る。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜中に金属元素を導入する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜上に、保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に、不純物を含有する非晶質状態の珪素膜を形成する工程と、前記不純物を含有する珪素膜中に前記金属元素を拡散させる工程と、前記保護膜をエッチングストッパーにして、前記不純物を含有する珪素膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体薄膜の作製方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028649   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-142881   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162703   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所