半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995232509
Publication number (International publication number)：1997082909
Application date： Sep. 11, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】電荷蓄積用キャパシタの誘電体膜として高誘電率物質のBSTを用いたFRAMにおいて、蓄積電荷量の増大,強誘電性の誘起,電荷蓄積素子間のばらつきの低減,誘電体膜と下地膜の相互拡散の低減などを実現する。【解決手段】シリコン基板1上に1つのスイッチ用トランジスタと1つの電荷蓄積用キャパシタからなるメモリセルを2次元配置してなり、かつキャパシタの誘電体膜としてチタン酸バリウムストロンチウム(BST)を用いたFRAMにおいて、基板1上に形成された絶縁膜上に、種結晶から横方向に溶融再結晶させて単結晶化したSi結晶34上に下部電極としての白金膜13及びBST膜16がエピタキシャル成長されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に1つのスイッチ用トランジスタと1つの電荷蓄積用キャパシタからなるメモリセルを2次元配置してなり、かつキャパシタの誘電体膜として高誘電率物質を用いた半導体記憶装置において、前記基板から非晶質膜又は多結晶膜を介して成長された下地結晶上に、前記誘電体膜がエピタキシャル成長又は配向成長されてなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭61-226951
特開昭63-226955
特開昭63-313847

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