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J-GLOBAL ID：200903062547520085

縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ

Inventor：
志田 直之

About 志田 直之


Applicant, Patent owner：
山形日本電気株式会社

About 山形日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311268
Publication number (International publication number)：1997153609
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：
【要約】【課題】縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタが、インダクタンスを持った負荷からの逆電圧によるブレークダウンが生じ、寄生トランジスタがオンした際の過大な電流が流れることを抑制する。【解決手段】ベース領域3の底面に接するように埋込酸化シリコン膜12を設ける。これにより、誘導性負荷による寄生トランジスタの電流をhFEの低い領域に流れるようにすることが出来、過大な電流が流れるのを防ぎ破壊耐量が向上する。
Claim (excerpt)：
高濃度第1導電型半導体層に低濃度第1導電型半導体層を積層した第1導電型の半導体基板でなるドレイン領域と、前記低濃度第1導電型半導体層の表面部に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面部に形成された第1導電型のソース領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間のベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタにおいて、前記ベース領域の底面に接して埋込絶縁膜が設けられていることを特徴とする縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 29/78 652 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 658 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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