半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997096918
Publication number (International publication number)：1998290049
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】p型不純物の正孔キャリア濃度レベルを適切に設定し、不純物拡散を抑制する。【解決手段】半導体レーザ素子の活性層4近傍のp型のAlGaInP光導波層中に、拡散定数が小さくキャリア濃度を拡散させずに5×1017〜1×1018cm~3の範囲を設定できるp型InGaAsP層を導入する。InGaAsP層は、AlGaInP光導波層よりも禁制帯幅が小さくなるので、薄膜層として多周期超格子層構造を構成する。

Claim (excerpt)：

V族元素として燐系を主体とする半導体結晶層の中に、V族元素に砒素系を導入した半導体結晶層を設けてあり、V族元素が砒素系である半導体層は量子サイズ効果を生ずる薄膜層として或いは薄膜層からなる多周期超格子構造として設けてあることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 29/06

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-042986
量子井戸構造半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-323000 Applicant：日本電気株式会社
量子バリア半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-320977 Applicant：古河電気工業株式会社

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