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J-GLOBAL ID：200903062672757313

不揮発性半導体記憶装置、並びにその動作方法および製造方法

Inventor：
野本 和正

About 野本 和正


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164626
Publication number (International publication number)：2002359303
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】半導体基板面内における半導体記憶素子のサイズの微細化を行っても、特性の劣化が少なく、かつ、単位記憶素子あたり2ビットの記録の動作が可能な不揮発性半導体記憶装置、並びにその動作方法および製造方法を提供する。【解決手段】突起部Tを有し、少なくとも当該突起部Tの側壁にチャネル形成領域CHを有する第1導電型半導体10と、突起部Tの上部および突起部の底部に形成され、チャネル形成領域CHに接するソースあるいはドレインとなる第2導電型半導体領域11,12と、空間的に離散化された電荷蓄積手段を内部に含み、少なくとも突起部Tの側壁面を被覆するように第1導電型半導体10上に形成されたゲート誘電体膜20と、ゲート誘電体膜20上に形成されたゲート電極30とを有する。
Claim (excerpt)：
突起部を有し、少なくとも当該突起部の側壁にチャネル形成領域を有する第1導電型半導体と、前記突起部の上部および前記突起部の底部に形成され、前記チャネル形成領域に接するソースあるいはドレインとなる第2導電型半導体領域と、空間的に離散化された電荷蓄積手段を内部に含み、少なくとも前記突起部の側壁面を被覆するように前記第1導電型半導体上に形成されたゲート誘電体膜と、前記ゲート誘電体膜上に形成されたゲート電極とを有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
F-Term (19)：
5F083EP18 ,  5F083EP48 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER22 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA45 ,  5F101BC11 ,  5F101BD05 ,  5F101BD16 ,  5F101BE05 ,  5F101BE06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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