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J-GLOBAL ID：200903062679373847

半導体装置

Inventor：
酒井 啓之

About 酒井 啓之


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998101051
Publication number (International publication number)：1999195730
Application date： Apr. 13, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 フリップチップ実装を行なっても共振や不要発振を起こしにくく且つ寄生効果が小さいMMICを実現できるようにする。【解決手段】 MMICチップ11は基板21の主面にフリップフロップ実装されており、MMICチップ11の素子形成面には高周波トランジスタと、該高周波トランジスタと接続された第1の信号線路12及び該第1の信号線路12の両側部と所定間隔をおいた第1の接地線路対13からなる第1のコプレーナ線路14が形成されている。基板21の主面上には、第2の信号線路24及び第2の接地線路対23からなる第2のコプレーナ線路25が形成されている。第2の接地線路対23におけるチップ実装領域26はその周縁部を残すように開口領域25aが形成されており、該周縁部とMMICチップ11の第1のコプレーナ線路14とはマイクロバンプ31を介して電気的に接続されている。
Claim (excerpt)：
素子形成面に、高周波トランジスタ及び該高周波トランジスタと接続された導体膜からなる第1のコプレーナ線路を有する半導体チップと、主面に導体膜からなる第2のコプレーナ線路を有する基板とを備え、前記半導体チップの素子形成面が前記基板の主面と対向した状態で、前記第1のコプレーナ線路と前記第2のコプレーナ線路とが互いに接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 21/60 311
FI (2)：
H01L 23/12 301 C ,  H01L 21/60 311 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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