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J-GLOBAL ID：200903062684606019

磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置

Inventor： 岸 均 ,  小林 和雄 ,  田中 厚志 ,  北出 康博 ,  三宅 裕子 ,  小田切 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996073782
Publication number (International publication number)：1997081915
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】耐蝕性の高い反強磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子に関し、耐蝕性が高く、かつ反強磁性を付与するための加熱処理の温度が低い材料からなる反強磁性層を用いた磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】軟磁性層23と接して反強磁性層24a,24bが形成されている磁気抵抗効果素子であって、反強磁性層24a,24bはPdMn膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

軟磁性層と接して反強磁性層が形成されている磁気抵抗効果素子であって、前記反強磁性層はPdMn膜であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 交換結合膜および磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-026775   Applicant：株式会社東芝
• 軟磁性膜の交換バイアス膜合金及び磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-210165   Applicant：松下電器産業株式会社