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J-GLOBAL ID：200903062746693339

多結晶Si薄膜の堆積法

Inventor：
石原 俊一

About 石原 俊一


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051056
Publication number (International publication number)：1996250434
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低温プロセスを維持した状態で、薄膜の構造緩和も十分に行うことができ、かつ、原料ガスにドーピングガスを混入させ、n型又はp型の多結晶Si薄膜を作製する場合にも、結晶性の良好な多結晶Si薄膜がえられる堆積法を提供する。【構成】 本発明の多結晶Si薄膜の堆積法は、水素ガスが常に流され、マイクロ波電力が常に印加された状態の成膜空間に隣接された別の空間に、原料ガスとドーピングガスを時間的に分割して導入し、?@前記原料ガスと前記水素ガスが流れている時間(t1)、?A前記ドーピングガスと前記水素ガスが流れている時間(t2)、及び、?B前記水素ガスのみが流れている時間(t3)からなる3種類の時間を繰り返しながら成膜することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
成膜空間に隣接された別の空間で、水素ガスにマイクロ波電力を印加し、予め生成された原子状の水素を用いて、原料ガスとドーピングガスを分解し、膜生成用のラジカルを生起させることによって、前記成膜空間にある基板の表面上に多結晶Si薄膜を形成する堆積法において、前記水素ガスが常に流され、前記マイクロ波電力が常に印加された状態の前記別の空間に、前記原料ガスと前記ドーピングガスを時間的に分割して導入し、?@前記原料ガスと前記水素ガスが流れている時間(t1)、?A前記ドーピングガスと前記水素ガスが流れている時間(t2)、及び、?B前記水素ガスのみが流れている時間(t3)からなる3種類の時間を繰り返しながら成膜することを特徴とする多結晶Si薄膜の堆積法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • シリコン系薄膜の堆積方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-312166   Applicant：旭硝子株式会社
  • 堆積膜の成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224315   Applicant：キヤノン株式会社
  • 成膜方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-038786   Applicant：株式会社東芝, 東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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