光半導体装置の作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235889
Publication number (International publication number)：1996078781
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】エピタキシャル成長に悪影響を及ぼす基板上の表面不純物を、基板自体を傷付けることなくエッチング(除去)し、かつ表面不純物の存在量を同時に分析、評価する方法を提供することにある。【構成】光導波路層に加工を施した構造体等を有する化合物半導体基板39上にエピタキシャル成長して光半導体装置を作製する。基板39表面上の不純物7の除去にイオンビームエッチング5を用いる。その際に発生する2次イオン6を同時に質量分析することで、不純物7の残存状態を評価しつつ、イオンビームエッチング5を行う。

Claim (excerpt)：

光導波路層に加工を施した構造体等を有する化合物半導体基板上にエピタキシャル成長してなる光半導体装置の作製プロセスにおいて、前記基板表面上の不純物の除去にイオンビームエッチングを用い、その際に発生する2次イオンを同時に質量分析することで前記不純物の残存状態を評価することを特徴とする光半導体装置の作製方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-003914
特開平3-253586
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-208298 Applicant：富士通株式会社

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