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J-GLOBAL ID：200903062907056040

厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法

Inventor：
鷲尾 泰史

About 鷲尾 泰史

, 
大掛 光明

About 大掛 光明

, 
鵜野 和英

About 鵜野 和英

, 
斎藤 宏二

About 斎藤 宏二


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006338854
Publication number (International publication number)：2008151953
Application date： Dec. 15, 2006
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：
【課題】接続端子などの製造に好適に用いることができ、かつ高感度な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。【解決手段】支持体上に、膜厚5〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する特定構造の樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有する。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
支持体上に、膜厚5〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、 (A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び(C)アルカリ可溶性樹脂を含有し、 前記(B)成分が、(B1)下記一般式(b1):
IPC (4)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/28
FI (4)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/28
F-Term (54)：
2H025AA01 ,  2H025AA10 ,  2H025AB15 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF03 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB29 ,  2H025FA12 ,  2H025FA14 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02S ,  4J100AB03S ,  4J100AB04S ,  4J100AB07S ,  4J100AB08S ,  4J100AC03S ,  4J100AC04S ,  4J100AG04S ,  4J100AJ01S ,  4J100AJ02S ,  4J100AJ08S ,  4J100AJ09S ,  4J100AL03S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL09S ,  4J100AL34S ,  4J100AM02S ,  4J100AM15S ,  4J100AS02S ,  4J100AS03S ,  4J100BA02S ,  4J100BA03S ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA08R ,  4J100BA16S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC43S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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