高周波用の自己アライメント式電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：奥山尚男 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996510350
Publication number (International publication number)：1998505951
Application date： Sep. 15, 1995
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】ソース抵抗が低く動作周波数が高い金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)が開示される。MESFETは、炭化ケイ素のエピタキャシャル層と、2つのトレンチ・エッジ間に炭化ケイ素ゲート表面を露呈するエピタキャシャル層中のゲート・トレンチとを含んでいる。ゲート接点はゲート表面に接触し、トレンチはさらにトランジスタのソース領域とドレイン領域を画定する。各オーム金属層がエピタキャシャル層のソースおよびドレイン領域上にオーム接触面を形成し、トレンチの金属層のエッジがトレンチのエピタキャシャル層のエッジに本質的に自己アライメントするよう構成される。

Claim (excerpt)：

ソース抵抗が低く動作周波数が高い電界効果トランジスタ(FET)であって、第1導電型をもつ炭化ケイ素のエピタキャシャル層と、前記エピタキシャル層中にあるゲート・トレンチと、ここで、該ゲート・トレンチの各エッジ間に炭化ケイ素のゲート表面を露呈し、前記ゲート・トレンチは前記トランジスタのソース領域とドレイン領域を画定する、前記ゲート表面への整流ゲート接合部と、前記エピタキャシャル層の前記ソース領域およびドレイン領域上にオーム接触面を形成する各オーム金属層と、を含み、前記トレンチにおける前記金属層のエッジが前記トレンチにおける前記エピタキャシャル層の前記エッジに本質的にアライメントされていることを特徴とする前記FET。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

高電力、高周波金属-半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-153621 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
特開昭61-247075
特開平3-023643

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN

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