フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004263482
Publication number (International publication number)：2006078825
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】フォトマスク基板11の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング((Cl+O)系ドライエッチング)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング(Cl系ドライエッチング)およびフッ素系ドライエッチング(F系ドライエッチング)でエッチングが可能な金属膜が遮光層12として備えられている。そしてこの遮光層12の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層13として備えられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)およびフッ素系ドライエッチング(F系)でエッチングが可能な金属膜の遮光層と、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方でエッチングが可能な金属化合物膜の反射防止層と、を備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (4)：

G03F 1/08 , C23F 4/00 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F1/08 G , C23F4/00 A , G03F1/14 E , H01L21/30 502P

F-Term (14)：

2H095BB16 , 2H095BC05 , 2H095BC13 , 4K057DA11 , 4K057DB08 , 4K057DB11 , 4K057DB15 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE20 , 4K057DG12 , 4K057DN01 , 4K057DN03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-400378 Applicant：HOYA株式会社
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-399790 Applicant：HOYA株式会社
登録実用新案第3093632号公報