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J-GLOBAL ID：200903063025539327

電源システム、マルチチップモジュール、システムインパッケージ、および非絶縁型DC/DCコンバータ

Inventor：
白石 正樹

About 白石 正樹


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005031587
Publication number (International publication number)：2006223016
Application date： Feb. 08, 2005
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：
【課題】 非絶縁型DC/DCコンバータの変換効率を向上させ、高効率化を実現することができる電源システムを提供する。【解決手段】 ハイサイドスイッチ1とローサイドスイッチ2とを有する電源システムに用いられる非絶縁型DC/DCコンバータにおいて、ハイサイドスイッチ1に、低容量かつ低オン抵抗の、窒化ガリウム素子のHEMTやHFETを使用し、ローサイドスイッチ2に、低オン抵抗のシリコン素子の縦型パワーMOSFETを使用する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ハイサイドスイッチと、ローサイドスイッチとを有する電源システムであって、 前記ハイサイドスイッチは、窒化ガリウム素子であることを特徴とする電源システム。
IPC (5)：
H02M 3/155 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (4)：
H02M3/155 T ,  H02M3/155 Y ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/80 H
F-Term (18)：
5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS19 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730DD17 ,  5H730DD26 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-007191   Applicant：株式会社日立製作所
Cited by examiner (2)

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