直交変換回路、電力変換装置、及び、発電システム

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村修一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000055808
Publication number (International publication number)：2001251870
Application date： Mar. 01, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】スイッチング素子のスイッチング期間の最適範囲を特定することで直交変換回路の直交変換効率を向上させる【解決手段】直交変換回路が、独立してオン・オフ動作するスイッチング素子が2個直列してなる直列回路を2組以上並列にして直流入力端子間に接続し、各スイッチング素子のオン・オフ動作を夫々所定のタイミングで交互に繰り返すことにより、各直列回路の中間ノード間に交流電力を出力し、スイッチング素子がGaN系材料を使用した1つのFET、または2つ以上のFETが直列して形成されたスイッチング回路であり、スイッチング素子のオン・オフ動作におけるスイッチング素子に流れる電流またはスイッチング素子の両端における電位差の上昇時間と下降時間との何れもが、0.1〜10(単位:ナノ秒)である。

Claim (excerpt)：

独立してオン・オフ動作するスイッチング素子が2個直列してなる直列回路を2組以上並列にして直流入力端子間に接続し、前記各スイッチング素子のオン・オフ動作を夫々所定のタイミングで交互に繰り返すことにより、前記各直列回路の中間ノード間に交流電力を出力する直交変換回路であって、前記スイッチング素子がGaN系材料を使用した1つのFET、または2つ以上のFETが直列して形成されたスイッチング回路であり、前記スイッチング素子のオン・オフ動作における前記スイッチング素子に流れる電流または前記スイッチング素子の両端における電位差の上昇時間と下降時間との何れもが、0.1〜10(単位:ナノ秒)であることを特徴とする直交変換回路。

IPC (3)：

H02M 7/5387 , G05F 1/67 , H02M 3/00

FI (3)：

H02M 7/5387 Z , G05F 1/67 A , H02M 3/00 T

F-Term (19)：

5H007AA03 , 5H007CA02 , 5H007CB05 , 5H007CC03 , 5H007CC07 , 5H007DB03 , 5H420CC03 , 5H420DD02 , 5H420DD03 , 5H420EA12 , 5H420EA45 , 5H420EB37 , 5H420EB39 , 5H730AA10 , 5H730AA14 , 5H730DD04 , 5H730DD12 , 5H730DD21 , 5H730DD26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

無停電電源装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-027021 Applicant：富士電機株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-103002 Applicant：古河電気工業株式会社
特開平4-150765

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