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J-GLOBAL ID：200903063115780007

半導体発光装置

Inventor：
林 嗣久

About 林 嗣久


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001301834
Publication number (International publication number)：2003110148
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 放熱効率の良い半導体発光装置を提供する。【解決手段】 基板11上に半導体素子が形成されてなる発光素子が実装基体に実装されてなる半導体発光装置であり、実装基体側と電気的に導通して接続された第1のバンプ31と、実装基体と電気的に絶縁して接続された第2のバンプ32を設けることで、第1のバンプからの距離が遠く、十分に実装基体側へ放熱されなかった熱を、第2のバンプを介して効率よく実装基体側へ導き、放熱効率を良好にすることができる。
Claim (excerpt)：
基板上に半導体素子が形成されてなる発光素子が実装基体に実装されてなる半導体発光装置において、前記半導体発光装置は、実装基体と電気的に導通して接続された正負一対の第1のバンプと、実装基体と電気的に絶縁して接続された第2のバンプとを有することを特徴とする半導体発光装置。
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
F-Term (11)：
5F041AA33 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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