光生成能力を高めたIII-窒化物発光デバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000387273
Publication number (International publication number)：2001203386
Application date： Dec. 20, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】本発明は、全体として高い光生成能力を有する反転型III-窒化物発光デバイス(LED)である。【解決手段】面積の大きなデバイスはn電極を少なくとも一つ有し、これはp電極のメタライゼーションを間に挟むようにして直列抵抗を小さくしている。p電極のメタライゼーションは不透明で、高い反射性を有し、優れた電流拡散性を有している。LED活性領域におけるピーク放射波長でのp電極内での光の吸収は、パス当たりの入射光25%よりも小さい。LEDチップとパッケージとの間の電気的、熱的な接続を与えるために、下部マウントを用いることができる。下部マウントの材料にSiを用いて、電圧に準拠した制限動作などの電子回路的機能を備えることができる。高い電流密度での動作を可能とするために、LED下部マウントとのインターフェースを含むデバイス全体を、熱抵抗が低くなるように設計する。最後に、このデバイスは、屈折率の高い(n>1.8)のスーパーストレートを含むことができる。

Claim (excerpt)：

nコンタクト層及びpコンタクト層を有する活性領域を含む第一の発光ユニットを有するIII-窒化物材料のヘテロ構造と、pコンタクト層に取り付けられた不透明なp電極と、nコンタクト層に取り付けられ、p電極を間に挟んでいるn電極と、p電極に付着したpソルダー界面及びn電極に付着したnソルダー界面とを有し、ソルダー界面の横方向の断面積が、p電極領域の面積の少なくとも15%であることを特徴とする発光デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194224 Applicant：ローム株式会社
特開平3-268360
圧縮可能なヒートシンク構造を有する電子パッケージ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-344609 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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