増加発光能力を持つIII族窒化物LEDの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000404538
Publication number (International publication number)：2001237458
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】改良された発光能力を持つIII族窒化物に基づく発光装置を提供する。【解決手段】大面積装置は、低い直列抵抗を準備するためにp電極金属被覆20の間に挿入されるn電極22を持つ。該p電極金属被覆は、不透明かつ高反射率であり、優れた電流拡散をもたらす。LED活性領域のピーク放出波長でのp電極は、パス毎に入射光の25%未満を吸収する。サブマウントは、LEDダイとパッケージとの間の電気的及び熱的接続を準備するために使用されてもよい。該サブマウント材料は、電圧追従制限作動などの電子機能を備えるためにSiであってもよい。LEDサブマウント・インタフェースを含む装置全体は、高い電流密度作動を可能にするために低い熱抵抗に対して設計されている。該装置は、高屈折率(n>1.8)の上層基板を含むことができる。

Claim (excerpt)：

成長構造上にIII族窒化物ヘテロ構造を堆積する段階と、各々の接触層と電気的に接続されたp及びn電極を形成する段階と、障壁層を加える段階と、III族窒化物ヘテロ構造を調合する段階と、サブマウントを装置に取り付ける段階と、を含むことを特徴とする、逆転発光装置を製造する方法。

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 33/00 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-287623 Applicant：松下電子工業株式会社
フリップチップ型光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-141873 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331040 Applicant：日亜化学工業株式会社

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