不揮発性半導体記憶装置とその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999119848
Publication number (International publication number)：2000311956
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】浮遊ゲートをエッチングする際、エッチングの制御が困難であった。【解決手段】各メモリセルMCにおいて、半導体基板11の表面にはゲート酸化膜12が形成され、このゲート酸化膜12の上には浮遊ゲートFGを構成する第1の浮遊ゲート13aが形成されている。この第1の浮遊ゲート13aの上には、絶縁膜14が形成され、この絶縁膜14の上に第2の浮遊ゲート13bが形成される。絶縁膜14は第2の浮遊ゲート13bを構成するポリシリコンをエッチングする際のストッパーとして作用する。

Claim (excerpt)：

浮遊ゲートと制御ゲートとを絶縁して積層した二層ゲート構造のメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記浮遊ゲート内に絶縁膜を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (20)：

5F001AA30 , 5F001AA43 , 5F001AB08 , 5F001AD53 , 5F001AD60 , 5F001AG02 , 5F001AG10 , 5F001AG21 , 5F001AG29 , 5F083EP04 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR07 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-177873 Applicant：日本電気株式会社
半導体不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-258710 Applicant：ソニー株式会社
浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-207421 Applicant：ソニー株式会社

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