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J-GLOBAL ID：200903063144019242

液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
神田 博美

About 神田 博美

, 
児玉 邦彦

About 児玉 邦彦


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005041926
Publication number (International publication number)：2005266799
Application date： Feb. 18, 2005
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：
【課題】液浸露光時の、露光-PEB間の引き置きによるレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善された液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記の(Ba)〜(Bc)から選ばれる少なくとも1種類の化合物を含有する液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 (Ba)カチオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物、 (Bb)カチオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物及び (Bc)アニオン部に特定のアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として、下記の(Ba)〜(Bc)から選ばれる少なくとも1種類の化合物 を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。 (Ba)カチオン部に炭素数2以上のフッ素置換されていないアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物、 (Bb)カチオン部に炭素数1以上のフッ素置換されたアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物及び (Bc)アニオン部に炭素数2以上のフッ素置換されていないアルキル若しくはシクロアルキル残基を有するスルホニウム塩化合物。
IPC (3)：
G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
F-Term (13)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025FA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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