3-5族化合物半導体チップの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997075380
Publication number (International publication number)：1998189498
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板分割工程における半導体結晶の損傷の発生を抑え、歩留まりを向上させることのできる3-5族化合物半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板上に作製された一般式InxGayAlzN(x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の積層構造を有するエピタキシャル基板を分割して、半導体チップを製造する方法において、ウェットエッチング法を用いて該化合物半導体の一部を除去しサファイア基板が露出した割り溝を形成し、該割り溝をスクライビングする工程を有する3-5族化合物半導体チップの製造方法。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に作製された一般式InxGayAlzN(x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の積層構造を有するエピタキシャル基板を分割して、半導体チップを製造する方法において、ウェットエッチング法を用いて該化合物半導体の一部を除去しサファイア基板が露出した割り溝を形成し、該割り溝をスクライビングする工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体チップの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 , H01L 21/308 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/78 S , H01L 21/308 C , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-288365 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-252174
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-172042 Applicant：日亜化学工業株式会社

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