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J-GLOBAL ID：200903063232056239

トリスジメチルアミノシランを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法

Inventor：
金 榮 寛

About 金 榮 寛

, 
朴 泳 旭

About 朴 泳 旭

, 
李 承 換

About 李 承 換


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001283361
Publication number (International publication number)：2003007700
Application date： Sep. 18, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 反応物質としてTDMASを用いた原子層蒸着によるSi3N4およびSiO2薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 チャンバ内部に基板をローディングさせた後に、Siおよびアミノシランを含む第1反応物質をチャンバ内に導入する。第1反応物質の第1部分は基板上部に化学吸着し、第1反応物質の第2部分は基板上部に物理吸着する。そして、チャンバのパージおよびフラッシングにより第1反応物質の物理吸着した第2部分がチャンバから除去される。続いて、チャンバ内部に第2反応物質を導入する。これにより、第2反応物質の第1部分が第1反応物質の化学吸着された第1部分と化学的に反応することにより、基板上にシリコン含有固体物質が形成される。そして、第2反応物質の化学的に吸着しない第2部分をチャンバから除去する。第1実施形態として、基板上に形成したシリコン含有固体物質は例えば、シリコンナイトライド層のような薄膜層である。
Claim (excerpt)：
チャンバ内に基板を設置する段階(a)と、前記チャンバ内にSiおよびアミノシランを含む第1反応物質を導入する段階(b)と、前記第1反応物質の一部を前記基板上に化学吸着させ、前記第1反応物質の他の一部を前記基板上部に物理吸着させる段階(c)と、前記段階(c)で前記基板上部に物理吸着された前記第1反応物質を前記チャンバから除去する段階(d)と、前記チャンバ内部に第2反応物質を導入する段階(e)と、前記段階(c)で前記基板上に化学吸着された前記第1反応物質に、前記第2反応物質の一部を化学的に反応させ、前記基板上にシリコン含有固体物質を形成する段階(f)と、前記第2反応物質の反応しない部分を前記チャンバから除去する段階(g)と、を含むことを特徴とするシリコンを含有する固体薄膜層を形成するための原子層積層方法。
IPC (4)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316
FI (4)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/316 X
F-Term (15)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BA46 ,  4K030BA48 ,  4K030JA09 ,  4K030LA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平1-143221
  • 成膜方法及び成膜装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248292   Applicant：株式会社東芝
  • 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-034413   Applicant：三星電子株式会社
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