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J-GLOBAL ID：200903063299490049

基板処理装置

Inventor：
山本 哲夫

About 山本 哲夫

, 
北村 大輔

About 北村 大輔


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006352231
Publication number (International publication number)：2007158358
Application date： Dec. 27, 2006
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：
【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。 【解決手段】ウエハ10群が搬入されるインナチューブ2およびインナチューブ2を取り囲むアウタチューブ3から構成されたプロセスチューブ1と、インナチューブ2内に原料ガス21を導入するガス導入ノズル22と、プロセスチューブ1内を排気する排気口7と、プロセスチューブ1内を加熱するヒータ20とを備えたCVD装置において、インナチューブ2の側壁に大中小の排気孔が25a、25b、25cが上中下段に並べられて開設され、ガス導入ノズル22には複数個の噴出口24が上下のウエハ10、10間に対向して開設され、ガス導入ノズル22の流路断面積は噴出口24群の開口面積の総和よりも大きく設定されている。原料ガスを各ウエハに均一に接触できるため、成膜状態をウエハ内、ウエハ群内において全体にわたって均一化でき、成膜速度を相対的に向上できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
上端が閉塞し下端が開口し基板が搬入されるインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、前記インナチューブ内にガスを導入するガス導入ノズルと、前記プロセスチューブ内を排気する排気口とを備えている基板処理装置において、 前記インナチューブの側壁に複数個の排気孔が長手方向に並べられて開設されており、これら排気孔の開口面積が前記排気口に対する位置によって変更されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/455
FI (5)：
H01L21/205 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 E ,  H01L21/22 511S ,  C23C16/455
F-Term (21)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045BB01 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF07 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開昭64-81216号公報
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-091931
  • 特開昭61-068393
  • 縦型減圧化学気相成長装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318759   Applicant：日本電気株式会社
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