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J-GLOBAL ID：200903063436850627

層間絶縁膜の形成方法

Inventor：
青井 信雄

About 青井 信雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000197596
Publication number (International publication number)：2001102378
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 比誘電率が低くて且つ脱ガス現象が発生し難い絶縁膜を特殊な熱処理工程を行なうことなく形成できるようにする。【解決手段】 圧力が930Paに保たれている反応室内に、原材料としてのヘキサメチルジシロキサンを2000ml/minの流量で液体マスフローを介して導入し、希釈ガスとしての窒素ガスを標準状態で5000ml/minの流量で導入し、酸化剤としての一酸化窒素ガスを標準状態で400ml/minの流量で導入しながら、原材料にプラズマ重合反応を起こさせることにより、反応室内において400°Cの温度に保持されているシリコン基板の上に有機無機ハイブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成する。
Claim (excerpt)：
有機シリコン化合物を含む原材料を、希釈ガスとしての窒素ガスが含まれる雰囲気中における低い真空度の下でプラズマ重合させて有機無機ハイブリッド膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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