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J-GLOBAL ID：200903063440063591

磁気記憶装置

Inventor：
福住 嘉晃

About 福住 嘉晃


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003386835
Publication number (International publication number)：2005150457
Application date： Nov. 17, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：
【課題】低誘電率を持つ層間絶縁膜(Low-k膜)と磁気抵抗素子との間に十分な密着性を確保でき、磁気抵抗素子が持つ特有の磁歪現象による素子特性への悪影響を低減できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】半導体基板11上に形成された層間絶縁膜26と、層間絶縁膜26上に形成された金属酸化膜27と、金属酸化膜27上に形成され、金属元素を含む引き出し配線膜29と、引き出し配線膜29上に形成された磁気抵抗素子30とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成された金属酸化膜と、 前記金属酸化膜上に形成された、金属元素を含む導電膜と、 前記導電膜上に形成された磁気抵抗素子と、 を具備することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (2)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
F-Term (11)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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