Pat
J-GLOBAL ID：200903075205911184

半導体素子及びその製造方法

Inventor：
キム,シ・ブン

About キム,シ・ブン


Applicant, Patent owner：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

About 株式会社ハイニックスセミコンダクター


Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002155296
Publication number (International publication number)：2003045967
Application date： May. 29, 2002
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 工程を単純化し且つ、デュアルダマシンCu配線の配線と同レベルにMIMキャパシタを形成する。【解決手段】 複数の第1コンタクトホールを有する第1層間絶縁膜と、その第1コンタクトホールに形成された複数の第1金属配線と、第1金属配線を含む基板上に順に形成された第2,第3層間絶縁膜と、第1金属配線の一定の領域が露出するよう第2層間絶縁膜内に形成された第2,第3コンタクトホールと、第2,第3コンタクトホール上に各々対応するよう第3層間絶縁膜にに形成されたトレンチと、第2コンタクトホールとその上のトレンチに順に形成された第1バリア金属膜とキャパシタ下部電極と誘電体膜とキャパシタ上部電極と、第2コンタクトホールとその上のトレンチのキャパシタ上部電極上と、第3コンタクトホールとその上のトレンチとに各々形成された第2バリア金属膜と、第2,第3コンタクトホールとその上のトレンチを埋めるよう第2バリア金属膜上に各々形成された第2金属配線とを有する。
Claim (excerpt)：
基板上に複数の第1コンタクトホールを有するように形成された第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜内の前記第1コンタクトホールに形成された複数の第1金属配線と、前記第1金属配線を含む前記基板上に順に形成された第2,第3層間絶縁膜と、前記第1金属配線の一定の領域が露出するよう前記第2層間絶縁膜内に形成された第2,第3コンタクトホールと、前記第2,第3コンタクトホール上に各々対応するよう前記第3層間絶縁膜にに形成されたトレンチと、前記第2コンタクトホールとその上のトレンチに順に、形成された第1バリア金属膜とキャパシタ下部電極と誘電体膜とキャパシタ上部電極と、前記第2コンタクトホールとその上のトレンチの前記キャパシタ上部電極上と、前記第3コンタクトホールとその上のトレンチとに各々形成された第2バリア金属膜と、前記第2,第3コンタクトホールとその上のトレンチを埋めるよう前記第2バリア金属膜上に各々形成された第2金属配線と、をを含むことを特徴とする半導体素子。
IPC (4)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (4)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 C
F-Term (63)：
5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP20 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033SS07 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033VV10 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX28 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM