半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997166750
Publication number (International publication number)：1999017124
Application date： Jun. 24, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】強・高誘電体膜に水素や水分が及ぼすダメージから保護し得る構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表層部に形成されたMOSトランジスタ上に形成された第1の絶縁膜201 と、第1の絶縁膜の上層側に形成され、下部電極401 、強誘電体または高誘電体を用いた電極間絶縁膜402 および上部電極403 を有する強・高誘電体キャパシタと、電極間絶縁膜が形成される前に電極間絶縁膜の側面を包むように予め形成され、電極間絶縁膜の側面を保護する絶縁性膜204 と、MOSトランジスタのドレイン領域・ソース領域のうちの一方の領域と強・高誘電体キャパシタの下部電極あるいは上部電極との間を接続する電極配線301 と、半導体基板上に形成された配線302 とを具備する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表層部に形成された不純物拡散領域からなるドレイン領域・ソース領域を有するスイッチ用のトランジスタと、前記トランジスタを含む半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上層側に形成され、下部電極、強誘電体または高誘電体を用いた電極間絶縁膜および上部電極を有するキャパシタと、前記電極間絶縁膜が形成される前に前記電極間絶縁膜の側面部を包むように予め形成され、前記電極間絶縁膜の側面を保護する第2の絶縁膜と、前記ドレイン領域・ソース領域のうちの一方の領域と前記キャパシタの上部電極あるいは下部電極との間を接続する電極配線と、前記半導体基板上に形成され、前記ドレイン領域・ソース領域のうちの他方の領域に接続された配線とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-183569
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-254378 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-138262 Applicant：シャープ株式会社

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