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J-GLOBAL ID：200903063465783653

フォトマスクの評価方法およびプログラム

Inventor：
山口 真司

About 山口 真司

, 
井上 壮一

About 井上 壮一

, 
井上 麻里

About 井上 麻里


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (7)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002268659
Publication number (International publication number)：2004108820
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】クリティカルエリア解析を用いた実用的なフォトマスクの歩留まり予測方法を実現する。【解決手段】フォトマスク上の欠陥を検査するときに使用される欠陥検査情報をマスクパターンの設計データ上に反映させ、この設計データに対してクリティカルエリアを算出し(ステップS1)、フォトマスク上の欠陥のサイズに対する、フォトマスク上の単位面積当たりの欠陥数についての欠陥密度分布を見積もり(ステップS2)、クリティカルエリアと欠陥密度分布とを積算し、フォトマスク上のキラー欠陥数を取得し(ステップS3,S4)、キラー欠陥数に基づいてフォトマスクの歩留まりを予測する(ステップS5)。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
フォトマスク上の欠陥を検査するときに使用される欠陥検査情報を用い、前記フォトマスクの設計パターンデータに、前記欠陥に関する情報を反映させた、欠陥考慮パターンデータを生成する工程と、 前記欠陥考慮パターンデータに対してクリティカルエリア分布を算出し、かつ、前記フォトマスク上の欠陥のサイズと、該サイズの欠陥の前記フォトマスク上の単位面積当たりの数との関係についての欠陥密度分布を見積もる工程と、 前記クリティカルエリア分布と前記欠陥密度分布とに基づいて、前記フォトマスク上の欠陥数に係る情報を取得する工程と、 前記フォトマスク上の欠陥数に係る情報に基づいて、前記フォトマスクを評価する工程と を有することを特徴とするフォトマスクの評価方法。
IPC (4)：
G01N21/956 ,  G03F1/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66
FI (4)：
G01N21/956 A ,  G03F1/08 A ,  H01L21/66 J ,  H01L21/30 502P
F-Term (16)：
2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051EA12 ,  2G051EA16 ,  2G051EB02 ,  2G051EC02 ,  2G051ED04 ,  2G051ED08 ,  2G051ED21 ,  2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31 ,  4M106AA09 ,  4M106CA39 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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