Pat

J-GLOBAL ID：200903063513414843

レーザー照射システム及びその応用方法

Inventor： 楠本 直人 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996305957
Publication number (International publication number)：1998135148
Application date： Oct. 30, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 線状のエキシマレーザーを用いた非晶質珪素膜の結晶化に際して、得られる結晶性珪素膜の結晶性のむらを改善する。【解決手段】 スピンエッチャー318を備えた室315において、非晶質珪素膜の表面に形成された酸化膜を除去し、その後に非酸化性の雰囲気中において、レーザー照射室304でのレーザー光の照射を行い、非晶質珪素膜の結晶化を行う。こうすることで、結晶性の均一な結晶性珪素膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜に対してレーザー光の照射を行うレーザーシステムであって、レーザー光の照射を行う前に半導体薄膜表面の不純物膜を除去する手段を有することを特徴とするレーザー照射システム。

IPC (4)：

H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/268 F ,  H01L 21/268 G ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-301172   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示用半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-257616   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-297169   Applicant：日本電気株式会社