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J-GLOBAL ID：200903063574561890

同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置

Inventor：
阿川 義昭

About 阿川 義昭

, 
山本 佳宏

About 山本 佳宏


Applicant, Patent owner：
日本真空技術株式会社

About 日本真空技術株式会社


Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998172367
Publication number (International publication number)：2000008159
Application date： Jun. 19, 1998
Publication date： Jan. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】導電性材料以外の材料、特に絶縁材料を用いた膜を形成することが可能な同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置を提供する。【解決手段】本発明の蒸着装置5は、真空処理槽10内に、アノード電極と蒸着材料との間に電圧を印加した状態でトリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させてアノード電極と蒸着材料との間にアーク放電を誘起させて蒸着材料を蒸発させる蒸着源21a〜21eを有する。真空処理槽10内に反応性ガスGを導入するためのガス導入手段60を備えている。ガス導入手段60のガスパイプの出射口62aが基板4の下方近傍に配設されている。
Claim (excerpt)：
処理対象物が配置される真空処理槽と、該真空処理槽内に配設され、アノード電極と蒸着材料との間に電圧を印加した状態でトリガ電極と前記蒸着材料との間にトリガ放電を発生させて前記アノード電極と前記蒸着材料との間にアーク放電を誘起させて前記蒸着材料を蒸発させる蒸着源と、前記真空処理槽内に反応性ガスを導入するためのガス導入手段を備えたことを特徴とする蒸着装置。
F-Term (12)：
4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029BA58 ,  4K029CA02 ,  4K029CA09 ,  4K029DA05 ,  4K029DA06 ,  4K029DB03 ,  4K029DB08 ,  4K029DB14 ,  4K029DB17 ,  4K029DE02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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