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J-GLOBAL ID：200903063594457509

薄膜作製方法

Inventor：
石橋 啓次

About 石橋 啓次


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997176431
Publication number (International publication number)：1999006063
Application date： Jun. 17, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 RF-DC結合マグネトロンスパッタ法による薄膜作製で、トラッキングアークの発生を防止し、薄膜を安定に作製する。【解決手段】 ターゲット111 の背面にマグネット121,122 を配置し、ターゲットにRF電力とDC電力を同時に供給してプラズマを発生させ、スパッタリング現象を利用してターゲットに対向配置した基板106 上に薄膜を作製するRF-DC結合マグネトロンスパッタ法を用いた薄膜作製方法であり、RF電力とDC電力のターゲットへの電力供給を同時にかつ周期的に停止し、さらに電力の供給時間をトラッキングアーク発生に要する時間よりも短くする。RF電力とDC電力の両電力の供給と停止を同期させ、ターゲットに対してRF電力とDC電力を間欠的に供給する。
Claim (excerpt)：
ターゲットの背面にマグネットを配置し、前記ターゲットにRF電力とDC電力を同時に供給してプラズマを発生させ、スパッタリング現象を利用して前記ターゲットに対向配置した基板上に薄膜を作製するRF-DC結合マグネトロンスパッタ法を用いた薄膜作製方法において、前記RF電力と前記DC電力の前記ターゲットへの供給を同時にかつ周期的に停止し、前記RF電力と前記DC電力の供給時間をトラッキングアーク発生に要する時間よりも短くしたことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (3)：
C23C 14/35 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/54
FI (3)：
C23C 14/35 F ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/54 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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