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J-GLOBAL ID：200903063770623739

薄膜形成方法

Inventor：
松木 武雄

About 松木 武雄

, 
林 喜宏

About 林 喜宏


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996158562
Publication number (International publication number)：1998007495
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 多元素で構成される金属酸化物誘電体や超誘電体薄膜において、それらの中に昇華しやすい元素,下地に容易に拡散する元素がある場合、下地層との界面領域での構成元素の欠損をなくしてが特性劣化を防止する。【解決手段】 成膜工程を有し、多元素からなる誘電薄膜を形成する薄膜形成方法であって、成膜工程は、下地層上に第1層及び第2層の薄膜を上下2層に堆積形成し、これらを結晶化させて誘電薄膜を成膜させる処理を行なう。その場合、下地層102に近い第1層の薄膜104は、薄膜を構成する少なくとも1種類の元素を、膜外への拡散を考慮して化学量論的組成より大きくして堆積する。
Claim (excerpt)：
成膜工程を有し、多元素からなる誘電薄膜を形成する薄膜形成方法であって、成膜工程は、下地層上に第1層及び第2層の薄膜を上下2層に堆積形成し、これらを結晶化させて誘電薄膜を成膜させる処理であり、下地層に近い第1層の薄膜は、薄膜を構成する少なくとも1種類の元素を、膜外への拡散を考慮して化学量論的組成より大きくして堆積することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (9)：
C30B 29/30 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316
FI (8)：
C30B 29/30 B ,  C23C 14/06 P ,  C23C 14/08 N ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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