不揮発性半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138965
Publication number (International publication number)：1998247694
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】MONOS型等の不揮発性記憶装置は、FG型に比べデータ保持特性が悪くセル面積が大きい。また、リードディスターブを改善する必要がある。【解決手段】半導体のチャネル形成領域11a上に、トンネル膜12、窒化膜13a、トップ酸化膜13bをゲート電極14との間に下層から順に積層してなり、トンネル膜12の膜厚Tが、基板11中の電荷がトンネル膜12をダイレクトトンネリングする範囲でかつ2.2(好ましくは3.4)nm以上である。この場合、トンネル膜12の膜厚増加に応じて、トップ酸化膜13bの膜厚を従来の4nmより薄く設定して、消去側のトンネル膜12と書き込み側のトップ酸化膜13bとの電界強度(膜通過キャリアの遷移量)を均衡させる。好ましくは、トップ酸化膜13bはトンネル膜12より薄い。また、窒化膜13aは、その化学量論比(Si:N=3:4)よりもシリコンの含有比が多い。

Claim (excerpt)：

半導体のチャネル形成領域上に、トンネル膜、絶縁膜、ゲート電極を下層から順に積層してなる不揮発性半導体記憶装置であって、前記トンネル膜の膜厚は、半導体基板中の電荷が当該トンネル膜をダイレクトトンネリングする範囲でかつ2.2nm以上とすることにより、1トランジスタセル構成とした不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体不揮発性記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-323285 Applicant：川崎製鉄株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-240603 Applicant：住友金属工業株式会社
特開昭59-229871

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