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J-GLOBAL ID：200903063867638072

ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良

, 
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999346316
Publication number (International publication number)：2001166485
Application date： Dec. 06, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体デバイスの製造において、高感度、高解像力を有し、しかも矩形形状を有するフォトレジストパターンを与えるなどのポジ型フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 一般式(I)で示される繰り返し構造単位と、一般式(II)で示される繰り返し構造単位の両方を有する酸分解性ポリシロキサンを含有する。特に、上記の酸分解性ポリシロキサンと、露光により分解して酸を発生する化合物と、これらを共に溶解させることが可能な溶剤と、を含有するとよい。
Claim (excerpt)：
一般式(I)で示される繰り返し構造単位と、一般式(II)で示される繰り返し構造単位の両方を有する酸分解性ポリシロキサンを含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】Lは-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-から選択される少なくとも1つの2価の連結基を表す。Aは単結合、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Xは単結合または2価の連結基を表す。Zは【化2】で表される基のいずれか一方を表す。Yは水素原子を表すか、または、Yはアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Yが示す原子団は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状でもよい。Rは水素原子を表す。又は、Rは酸で分解する基を表す。lは1〜3の整数、mも1〜3の整数を表す。【化3】上記A’、X’、Z’はそれぞれ一般式(I)のA、X、Zが総称する範囲と同一の範囲を総称する。
IPC (3)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 7/075 511 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (18)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA06 ,  2H025AA14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025DA11 ,  2H025FA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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