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J-GLOBAL ID：200903063874075148

コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置

Inventor： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281958
Publication number (International publication number)：1996213653
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInN系からなる層と電極との間の抵抗値を低減することにより、特性の向上した半導体装置、特に高輝度の青又は緑色の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を挿入したことを特徴とする半導体装置。

Claim (excerpt)：

AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(0.1≦x≦0.9)層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18