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J-GLOBAL ID：200903063935206135

金属カルボニル前駆体から金属層を堆積する方法

Inventor： 鈴木 健二
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007543036
Publication number (International publication number)：2008520834
Application date： Oct. 03, 2005
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

一酸化炭素ガス及び希釈ガスを用いる金属カルボニル前駆体(52、152)からの金属層(440、460)の堆積速度を増加する方法(300)及び堆積システム(1、100)に関する。この方法(300)は、堆積システム(1、100)のプロセスチャンバ(10、110)に基板(25、125、400、402)を用意し、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、プロセスチャンバ(10、110)においてプロセスガスを希釈し、基板(25、125、400、402)を希釈されたプロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、基板に金属層(440、460)を堆積する。堆積システム(1、100)は、気相原料分散システム(30、130)を有するプロセスチャンバ(10、110)で基板(25、125、400、402)を支持し加熱するよう構成される基板ホルダ(20、120)と、金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成し、これを気相原料分散システム(30、130)へ導入するよう構成される前駆体供給システム(105)と、プロセスチャンバ(10、110)にてプロセスガスに希釈ガスを加えるよう構成される希釈ガス源(37、137)と、基板(25、125、400、402)を希釈プロセスガスに晒して金属層(440、460)を熱化学気相堆積プロセスにより堆積する間、堆積システム(1、100)を制御するよう構成される制御器(165)とを含む。

Claim (excerpt)：

基板に金属層を堆積する方法であって: 堆積システムのプロセスチャンバに基板を用意する工程; 金属カルボニル前駆体の気相原料と一酸化炭素ガスとを含むプロセスガスを生成する工程; 前記プロセスガスを前記プロセスチャンバに導入する工程; 前記プロセスチャンバにおいて、前記プロセスガスに対して希釈ガスを加えて希釈プロセスガスを生成する工程;および 前記基板を前記希釈プロセスガスに晒して、熱化学気相堆積プロセスにより、前記基板に金属層を堆積する工程; を備える方法。

IPC (2)：

C23C 16/16 ,  H01L 21/285

FI (2)：

C23C16/16 ,  H01L21/285 C

F-Term (21)：

4K030AA06 ,  4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願公開第2006/0110530号明細書
  

Cited by examiner (2)

• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-322924   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-367073   Applicant：東京エレクトロン株式会社