成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002367073
Publication number (International publication number)：2004197163
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

【課題】金属カルボニル原料を使ったCVD法による金属膜の成膜方法において、成膜時のインキュベーションタイムを減少させる。【解決手段】金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する第2の工程とを有し、前記第1の工程では前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

金属カルボニル化合物を原料とする金属膜の成膜方法であって、反応性ガスを被処理基板表面近傍の空間に導入する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記金属カルボニル化合物を含む気相原料を前記被処理基板表面の空間に導入し、前記被処理基板表面に金属膜を堆積する第2の工程とを有し、前記第1の工程は、前記被処理基板上に前記金属膜の実質的な堆積が生じないように実行されることを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

C23C16/18 , C23C16/02 , H01L21/28 , H01L21/285

FI (5)：

C23C16/18 , C23C16/02 , H01L21/28 A , H01L21/28 301R , H01L21/285 C

F-Term (22)：

4K030AA12 , 4K030BA01 , 4K030BA05 , 4K030BA12 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104EE02 , 4M104EE14 , 4M104HH09 , 4M104HH16 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭59-209642
W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-266507 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
一連の堆積技術を用いる耐火性金属層を堆積する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-534647 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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