半導体ウェハのプロセスモニタリング装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000515284
Publication number (International publication number)：2001519596
Application date： Sep. 30, 1998
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】ドームを備えたプロセスチャンバ、チャンバ上に配置されたエンクロージャー、ドーム付近に位置決めされたプロセスモニタリングアセンブリー、ドームに設けられた開口、開口を覆う窓から成る半導体ウェハ処理装置内で処理をin-situモニタリングするための装置である。チャンバ付近の強力なエネルギー源からの干渉と遭遇することなく、各震度測定を容易にするために、窓を介して、ドームの上から基板へと続くモニタリングビームの照準線伝播経路を画定するために、装置の1部がプロセスモニタリングアセンブリーを支持する。プロセスモニタリング装置の製造方法は、ドームに開口を開けるステップと、開口を通ってプロセスモニタリングアセンブリーからチャンバ内の基板への照準線を許容するために、プロセスモニタリングアセンブリーをドームの頂部に配置するステップと、開口を窓で覆うステップとから成る。窓は、装置で使用するプロセスモニタリングアセンブリーのタイプによって、恒久的、または取り外し可能に固定されている。

Claim (excerpt)：

開口を画定するドームを備えたプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバ上に配置されたエンクロージャーと、前記ドームの付近に配置されたプロセスモニタリングアセンブリーと、前記開口を覆う窓とを含み、光放射が前記開口を通って前記プロセスチャンバから前記プロセスモニタリングアセンブリーへ伝播することを特徴とする、半導体ウェハ処理装置内のin-situモニタリングプロセス装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01J 37/32

FI (2)：

H01J 37/32 , H01L 21/302 B

F-Term (7)：

5F004BA20 , 5F004BB04 , 5F004BB05 , 5F004BB13 , 5F004CB10 , 5F004EB04 , 5F004EB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマCVD装置と該装置を用いたCVD処理方法及び該装置内の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-060681 Applicant：株式会社神戸製鋼所
プラズマ強化化学処理反応装置とその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-180459 Applicant：ワトキンズ-ジョンソンカンパニー
ドライ・エッチング終点監視方法およびそのための装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-073862 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, ソフィー・インストルメンツ

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