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J-GLOBAL ID：200903063977292457

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
小崎 徳也

About 小崎 徳也

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999212851
Publication number (International publication number)：2001044570
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 素子の劣化を防止して寿命特性が良好となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 活性層6が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造である。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体、障壁層とInを含んでなる井戸層とを有する量子井戸構造の活性層、及びp型窒化物半導体を順に積層してなる窒化物半導体レーザ素子において、前記活性層が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
F-Term (8)：
5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • AlInGaN系半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074220   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-285406   Applicant：日亜化学工業株式会社
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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