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J-GLOBAL ID：200903064003296567

半導体記憶素子

Inventor： 石田 誠 ,  澤田 和明 ,  赤井 大輔 ,  盧 炳權 ,  森安 嘉貴
Applicant, Patent owner： 石田 誠 ,  旭化成株式会社
Agent (1)： 谷 義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001057293
Publication number (International publication number)：2002261249
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高速かつ強誘電体の疲労が少なく、面積縮小化に適した劣化の少ない不揮発性メモリとしての半導体記憶素子を提供すること。【解決手段】 Si単結晶基板1上の形成されたソース2と、Si単結晶基板1上の形成されたドレイン3と、Si単結晶基板1上に形成されたトランジスタのゲート部分にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3薄膜4と、γ-Al2O3薄膜4上に形成された強誘電体薄膜5と、強誘電体薄膜5上に形成されたPt電極6とで構成され、Si基板上にエピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶薄膜を介して、高配向強誘電体薄膜を形成することにより、強誘電体の自発分極により直接ソース-ドレイン間の電流をオン、オフすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板上に形成されたトランジスタのゲート部分に、エピタキシャル成長されたγ-Al2O3単結晶薄膜を設けるとともに、該γ-Al2O3単結晶薄膜上に高配向の強誘電体薄膜を順次積層してなることを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

F-Term (28)：

5F058BA04 ,  5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA47 ,  5F101BA62 ,  5F101BF03 ,  5F101BH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-192667   Applicant：松下電器産業株式会社
• 酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-076272   Applicant：ソニー株式会社
• 薄膜赤外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-267682   Applicant：株式会社堀場製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Metalorganic molecular beam epitaxy of γ-Al2O3 films on Si at low growth temperatures"