酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997076272
Publication number (International publication number)：1998270653
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体不揮発性メモリなどを最適構造で実現可能な酸化物積層構造およびその製造方法ならびにそのような酸化物積層構造を利用した強誘電体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 1トランジスタ1キャパシタ型の強誘電体不揮発性メモリにおいて、(100)面方位のSi上に(100)面方位のCeO2 膜を介して(001)面方位の強誘電体薄膜8を積層し、この強誘電体薄膜8上に電極9、10を設けてキャパシタを形成する。あるいは、FETのドレイン領域上に単結晶Siからなるプラグを設け、このプラグ上に同様な構造のキャパシタを設ける。また、FET型強誘電体不揮発性メモリにおいて、ゲートおよびチャネル部を同様な酸化物積層構造により形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、上記シリコン基板上の、酸化セリウムからなり、かつ、(100)面方位を有するバッファ層と、上記バッファ層上の、ペロブスカイト型結晶構造、イルメナイト型結晶構造またはGdFeO3 型結晶構造を有する(Ba,Sr,Ca,Pb,Mg,Bi,Li,Ag,Na,K,Y,Ln)(Ti,Zr,Hf,Sn,Th,Ce,Ru,Rh,Ir,Cu,Ga,Al,Nb,Ta,Sb,Bi,Pb,W,V)O3 (ただし、Ba+Sr+Ca+Pb+Mg+Bi+Li+Ag+Na+K+Y+Ln=1、Ti+Zr+Hf+Sn+Th+Ce+Ru+Rh+Ir+Cu+Ga+Al+Nb+Ta+Sb+Bi+Pb+W+V=1)からなる強誘電性酸化物薄膜とを有することを特徴とする酸化物積層構造。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 , C30B 29/16 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , C30B 29/16 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

機能性薄膜積層体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-023180 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
焦電型赤外線薄膜素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-331688 Applicant：株式会社堀場製作所
半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243232 Applicant：旭化成工業株式会社, 垂井康夫

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Ion Beam Assisted Sputter Deposition of CeO2 Buffer Layers for Superconducting Multichip Module(MCM)

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