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J-GLOBAL ID：200903064019914430

化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩

Inventor： 山田 愛理 ,  上谷 保則 ,  釜淵 明
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (3)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003354759
Publication number (International publication number)：2004162040
Application date： Oct. 15, 2003
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスと微細パターンまで倒れないポジ型レジスト組成物及び該組成物に用いる新規なスルホニウム塩を提供する。【解決手段】〔1〕式(Ia)で示されるスルホニウム塩。〔2〕(A)前記〔1〕に記載のスルホニウム塩などを含む少なくとも1種の酸発生剤と、(B)酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂とを含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

式(Ia)で示されるスルホニウム塩。

IPC (5)：

C08F20/38 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5)：

C08F20/38 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (32)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4J100AB07Q ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA56P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA37

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

• オキシカルボニルメチル基を有する新規なスルホニウム塩化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-029846   Applicant：株式会社三和ケミカル