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J-GLOBAL ID：200903064022011913

回路配線の形成法

Inventor：
高野 祥司

About 高野 祥司


Applicant, Patent owner：
日本メクトロン株式会社

About 日本メクトロン株式会社


Agent (1)： 鎌田 秋光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000165532
Publication number (International publication number)：2001345540
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】セミアディティブ法によって回路配線の側面も異種金属で被覆することの可能な回路配線の形成法を提供する。【解決手段】セミアディティブ法によってメッキマスク3の開口部に電解メッキ手段で回路配線4を形成し、メッキマスク3に再度近接露光・現像処理を行った後、回路配線4の表面に異種金属層6をメッキ処理する。
Claim (excerpt)：
セミアディティブ法によってメッキマスクの開口部に電解メッキ手段で所要の回路配線を形成し、前記メッキマスクに再度近接露光・現像処理を行った後、前記回路配線の表面に異種金属をメッキ処理することを特徴とする回路配線の形成法。
IPC (3)：
H05K 3/24 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/18
FI (3)：
H05K 3/24 A ,  H05K 3/00 G ,  H05K 3/18 D
F-Term (16)：
5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343BB01 ,  5E343BB16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC61 ,  5E343CC62 ,  5E343DD32 ,  5E343DD43 ,  5E343ER18 ,  5E343ER57 ,  5E343FF12 ,  5E343GG06 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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