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J-GLOBAL ID：200903064050976606

半導体発光素子の製法

Inventor： 園部 雅之 ,  中田 俊次 ,  尺田 幸男 ,  筒井 毅 ,  伊藤 範和
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326334
Publication number (International publication number)：1998173222
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなるp形層の活性化を充分に行うことができ、順方向電圧を下げることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3およびp形層5を含む半導体層を積層し、前記p形層の活性化のためのアニール処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層した後のp形層の表面側にITO膜7bを成膜した後に前記アニール処理を行う。

Claim (excerpt)：

基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層およびp形層を含む半導体層を積層し、前記p形層の活性化のためのアニール処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層した後のp形層の表面側に透明導電膜を成膜した後に前記アニール処理を行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-092323   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-187341   Applicant：ローム株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-092323   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-187341   Applicant：ローム株式会社