半導体発光素子の製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：朝日奈宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994187341
Publication number (International publication number)：1996051235
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】格子定数の不整合および熱膨張係数の差に基づく結晶欠陥や転位の発生を抑制するとともに、製造工程を短縮することができる半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 (a)基板1上に少なくともn型層4とp型層6を有し、発光層5を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、(b)前記n型層およびp型層に電気的に接続されるn側電極9およびp側電極8を形成し、(c)該両電極の形成後に全体を400°C以上で熱処理をすることによりp型層のアニールおよび電極と半導体層との合金化を同時に行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に少なくともn型層とp型層を含み、発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、(b)前記n型層およびp型層に電気的に接続されるn側電極およびp側電極を形成し、(c)該両電極の形成後に熱処理をすることによりp型層のアニールおよび電極と半導体層との合金化を同時に行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/324 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体及びその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-039359 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-045983 Applicant：日亜化学工業株式会社
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-357046 Applicant：日亜化学工業株式会社

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