薄膜トランジスタ、有機ELディスプレイ装置及び有機ELディスプレイ装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山谷晧榮 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065774
Publication number (International publication number)：1996330600
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】有機ELディスプレイ装置の薄膜トランジスタにおいて、バリアメタルの溶出にもとづく短絡や断線を防止すること。【解決手段】薄膜トランジスタのソース領域105またはドレイン領域107を構成するシリコン活性層102と、該シリコン活性層102に接続されるアルミニウム配線113、114との間に、チタンまたは窒素含有量が50atm%以下の窒化チタンよりなるバリアメタル110、111を設ける。

Claim (excerpt)：

ソースまたはドレインを構成するシリコン活性層と、該シリコン活性層に接続されるアルミニウム配線との間に、チタンよりなるバリアメタルを設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H05B 33/26

FI (2)：

H01L 29/78 616 V , H05B 33/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電子回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-023289 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-108767
薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343943 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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