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J-GLOBAL ID：200903064174785744

半導体装置

Inventor： 竹内 伸二
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 碓氷 裕彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002113250
Publication number (International publication number)：2003309146
Application date： Apr. 16, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 実装基板に搭載された配線板の一方の面に、実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置において、特定のバンプ電極の外形サイズを大きくすることなく実装不良を低減し、IC検査用ソケットの設計を標準化すること。【解決手段】 本発明では、第1のランド端子20Aの外形サイズよりも大きい外形サイズの第2のランド端子20Bを設けているため、BGA型半導体装置10の実装不良を低減することができる。また、それと同時に、バンプ電極5の外形サイズを全て同一サイズにするとともに、第2のバンプ電極5Bと第2のバンプ電極5Bと隣り合う第1のバンプ電極5Aとの距離を第1のバンプ電極5A間の距離の整数倍にしているため、バンプ電極5A、5Bの配列ピッチを全て均一にすることができ、IC検査用ソケット30のピン31の設計を標準化することができる。

Claim (excerpt)：

実装基板に搭載された配線板の一方の面に、前記実装基板の一方の面に形成された複数のランド端子と電気的に接続された複数のバンプ電極を備えた半導体装置において、前記ランド端子は、第1のランド端子と該第1のランド端子の外形サイズよりも大きい外形サイズで形成された第2のランド端子からなり、前記バンプ電極は全て同一サイズで形成されるとともに、前記第1のランド端子と対応する位置に設けられた第1のバンプ電極と前記第2のランド端子と対応する位置に設けられた第2のバンプ電極からなり、前記第2のランド端子と隣り合う所定の前記第1のランド端子及び前記所定の第1のランド端子に対応する前記第1のバンプ電極は削除されており、前記第2のバンプ電極と該第2のバンプ電極と隣り合う前記第1のバンプ電極との距離が、前記第1のバンプ電極間の距離の整数倍になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34 501 ,  H01L 21/60

FI (4)：

H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/34 501 E ,  H01L 21/92 602 N ,  H01L 21/92 602 J

F-Term (17)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC15 ,  5E319BB01 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CC58 ,  5E319CD04 ,  5E319GG03 ,  5E319GG09 ,  5E319GG15 ,  5F044KK12 ,  5F044KK17 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ06