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J-GLOBAL ID:200903064195555307
金属膜を有する基板及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998082421
Publication number (International publication number):1999266021
Application date: Mar. 16, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 Alからなるソース電極にITOからなる画素電極を接続した液晶表示装置において、ソース電極と画素電極との間のコンタクトを良好にするとともに、製造工程数を少なくする。【解決手段】 コンタクトホール33が形成された層間絶縁膜32をマスクとしてCrイオンをドーピングし、Alからなる第2のソース電極31のコンタクトホール33を介して露出された表面にAl-Cr合金層34を形成する。次に、コンタクトホール33の部分及び層間絶縁膜32の上面の所定の箇所にITOからなる画素電極35をAl-Cr合金層34に接続させて形成する。すると、第2のソース電極31と画素電極35との間のコンタクトをAl-Cr合金層34を介して良好とすることができる。しかも、この場合、Crイオンをドーピングするだけでよいので、製造工程数を少なくすることができる。
Claim (excerpt):
基板と、この基板上に形成された酸化されやすい材料を主成分とする金属膜と、この金属膜の表面に前記主成分よりも酸化還元電位が高い材料が混在されて形成された前記金属膜との合金層と、この合金層に接続されて形成された金属酸化膜とを具備することを特徴とする金属膜を有する基板。
IPC (2):
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
FI (3):
H01L 29/78 616 V
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 C
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-175964
Applicant:キヤノン株式会社
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薄膜トランジスタアレイとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-124371
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-173683
Applicant:松下電子工業株式会社